5.13 PSpice Windows

Tujuan

  • Mengetahui dan memahami materi  Pspice Windows
  • Mampu mengaplikasikan materi Pspice Windows
  • Mampu membuat simulasi rangkaian Pspice Windows pada aplikasi Proteus 8

Alat Dan Bahan

Sumber DC

Yang dimaksud dengan sumber listrik arus searah (DC) adalah alat/benda yang menjadi sumber listrik arus searah (DC) dan menghasilkan arus DC secara permanent. Sumber listrik arus searah (DC) yang paling banyak dikenal adalah sumber listrik DC yang membangkitkan listrik secara kimia.

Transistor BJT

Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung arus (switching), stabilisasi tegangan, dan modulasi sinyal.

Ground
Ground berfungsi sebagai penghantar arus listrik yang negatif dengan besar tegangan nol.


Dasar Teori

5.13 PSpice windows

Karakteristik JFET n-channel dapat ditemukan dengan cara yang sama seperti digunakan untuk transistor bipolar. Rangkaian kurva untuk berbagai tingkat kemauan V. membutuhkan sapuan bersarang di bawah sapuan utama untuk tegangan drain-to-source. Itu konfigurasi yang diperlukan muncul pada Gambar 5.46. 

Perhatikan tidak adanya resistor sejak itu impedansi input diasumsikan tak terbatas, menghasilkan IG 0 A. Memanggil spesifikasi perangkat melalui Edit-Model-Edit Model Instance (Teks) akan menghasilkan tampilan yang memiliki di bagian depan daftar parameter Beta. Untuk transistor efek medan-persimpangan Beta didefinisikan oleh

 Dengan Jalankan Probe secara otomatis setelah Simulasi diaktifkan, mengklik ikon analisis akan menghasilkan layar OrCAD-MicroSim Probe. Tidak perlu memanggil Pengaturan X-Axis karena sumbu horizontal memiliki jangkauan yang benar dan tegangan VDD sebenarnya adalah tegangan drain-to-source. Dengan memilih ikon Trace, kotak dialog Add Trace akan muncul. ID (J1) dipilih, diikuti dengan OK. Hasilnya adalah himpunan karakteristik yang tampak pada Gambar 5.47. Label yang tersisa ditambahkan menggunakan ikon ABC. Perhatikan bahwa tegangan pinch-off adalah = 3 V, seperti yang diharapkan oleh parameter Vto. Itunilai IDSS sangat dekat dengan 12 mA.


Karakteristik transfer dapat diperoleh dengan kembali ke konfigurasi jaringan dan memilih ikon Analysis-Setup.  DC diaktifkan lagi, dan DC Sweep dipilih. Kali ini, karena hasilnya hanya akan berupa satu kurva, bersarang operasi tidak akan dilakukan. Setelah memilih Sumber Tegangan dan Linear, Namanya akan menjadi VGG, Nilai Awal 3 V (karena kita sekarang tahu bahwa VP 3 V), Akhir
Nilai 0 V, dan Kenaikan 0,01 V untuk mendapatkan plot kontinu yang baik. Setelah OK diikuti oleh Close, ikon Simulasi dapat dipilih. Setelah layar Probe muncul, pilih Plot-X-Axis Settings-Axis Variable dan pilih V (J1: g) untuk tegangan sumber gerbang. Pilih Oke dan kami kembali ke kotak dialog Setelan Sumbu X ke pilih rentang yang Ditentukan Pengguna 3 V hingga 0 V (yang sudah muncul karena pengaturan sweep kami). Pilih OK lagi dan Trace ID (J1) dapat dipilih sebagai hasil
dalam karakteristik transfer Gambar 5.48.



Prinsip Kerja

Saluran atau Kanal pada jenis ini terbentuk dari bahan semikonduktor tipe N dengan satu ujungnya adalah Source (S) dan satunya lagi adalah Drain (D). Mayoritas pembawa muatan atau Carriers pada JFET jenis Kanal-N ini adalah Elektron.

Gate atau Gerbang pada JFET jenis Kanal-N ini terdiri dari bahan semikonduktor tipe P. Bagian lain yang terbuat dari Semikonduktor tipe P pada JFET Kanal-N ini adalah bagian yang disebut dengan Subtrate yaitu bagian yang membentuk batas di sisi saluran berlawanan Gerbang (G).

Tegangan pada Terminal Gerbang (G) menghasilkan medan listrik yang mempengaruhi aliran pada pembawa muatan yang melalui saluran tersebut. Semakin Negatifnya VG,  semakin sempit pula salurannya yang akhirnya mengakibatkan semakin kecil arus pada outputnya (ID).

Example, Problem, Multiple Choice

Example 
1. Dengan menggunakan data yang disediakan pada lembar spesifikasi Gambar 5.39 dan tegangan ambang rata-rata VGS (Th) 3 V, tentukan:
(a) Nilai k yang dihasilkan untuk MOSFET.
(b) Karakteristik transfer.
Untuk VGS 8, 10, 12, dan 14 V, ID akan menjadi 1,525, 3 (seperti yang ditentukan), 4,94, dan 7,38 mA,masing-masing. Karakteristik transfer digambarkan pada Gambar 5.40.
2. Buat sketsa kurva transfer untuk perangkat p-channel dengan IDSS 4 mA dan VP 3 V.

Problem

1. Apa perbedaan yang signifikan antara konstruksi MOSFET tipe perangkat tambahan dan MOSFET tipe deplesi?
jawab

Mosfet konstruksi khusus karena Mosfet jenis ini susunan bahannya dibuat dalam bentuk khusus, tidak seperti Mosfet biasanya. Adapun yang termasuk dalam Mosfet Konstruksi khusus adalah:
  1. Mosfet Gerbang Ganda ( Dual Gate Mosfet )
  2. V Mosfet
  3. SIP Mosfet.
MOSFET Depletion Mode (D-MOSFET) Pada dasarnya terdiri dari N-Channel dan P-Channel. D-MOSFET terbuat dari bahan dasar silikon tipe P atau dapat disebut dengan Substrat (SS).

2. Dalam hal apa konstruksi MOSFET tipe deplesi mirip dengan JFET? Di
cara apa yang berbeda?
Jawab

Ada hal besar yang membedakan dalam setiap struktur serta karakteristiknya yang ada. Bahkan, definisi serta kegunaannya juga berbeda pula.

Multiple Choice

1. Kepanjangan MOSFET Adalah ......
a. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
b. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Technologi
c. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transformator
d. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transciver
e. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transmitter
Jawaban A

2. Tegangan pada JFET dimana arus tiba-tiba menjadi tidak terhingga disebut tegangan
a.
Breakup
d.
Upbreak
b.
Downbreak
e.
Break-off
c.
Breakdown
jawaban C



Rangkaian


Vidio


  • File HMTL
  • File Vidio 
  • File Rangkaian 
  • Data Sheet Transistor 




Tidak ada komentar:

Posting Komentar

Langganan: Postingan (Atom)